Die Verbreitung von Flachbildschirmen hat in den vergangenen Jahren rapide zugenommen. Neben den dominierenden Flüssigkristalldisplays (LCD), gibt es momentan kaum Alternativen für eine industrielle Großserienfertigung. Lediglich Bildschirme auf Basis organischer Leuchtdioden (kurz OLED) bilden, besonders für kleinflächige Displays, mittelfristig eine hoffnugnsvolle Alternative. Die Anforderungen an Auflösung, Bildqualität, Bauraum, Gewicht und Energieeffizienz bei Mobiltelefonen, Navigationssystemen oder Spielekonsolen steigen immer weiter. Gerade für solche Außen- bzw. Automotive- Anwendungen eignen sich OLEDs da sie nicht nur sehr gute Blickwinkeleigenschaften sondern auch praktisch konstant bleibende Schaltzeiten über einen großen Temperaturbereich aufweisen. Die selbstleuchtenden OLEDs benötigen anders als LCDs keine Hintergrundbeleuchtung und erlauben einen dünneren Aufbau aber auch die Herstellung auf gebogenen Flächen. Ebenso sind teuere Farbfilter, die bei LCD zusätzlich die Effizienz verringern, unnötig, da OLEDs nicht nur in Weiß, sondern auch in den drei Grundfarben Rot, Grün und Blau leuchten können. Eine ernsthafte technische Herausforderung der OLED bildet jedoch immer noch die Langzeitstabilität.In allen modernen, hochauflösenden Flachbildschirmen werden Aktivmatrix-Konzepte eingesetzt, in denen ein Dünnschichttransistor (TFT) jeden einzelnen Bildpunkt steuert. In spannungsgesteuerten LCDs reicht amorphes Silizium (a-Si) als Halbleitermaterial für diese TFTs aus, weshalb a-Si AMLCDs (besser bekannter als TFT-Bildschirm) auch am weitesten verbreitet sind. Allerdings können a-Si TFTs nur über kurze Zeit konstante Ströme liefern, da es bei Gleichstrombelastung allmählich zur Verschiebungen der Transistorschwellspannung kommt. Weiterhin besitzen sie nur niedrige Elektronenbeweglichkeiten und kaum nennenswerte Löcherbeweglichkeiten, wodurch der Aufbau von Schaltungen in CMOS praktisch unmöglich und nur einfache, langsame Schaltungen realisierbar sind. Diese Lücken füllt polykristallines Silizium aus, das sowohl für den Einsatz in stromgesteuerten OLED- Bildschirmen als auch für die Herstellung integrierter Elektronik geeignet ist.In dieser Arbeit werden Prozesse zur Herstellung von auf Niedertemperatur poly-Silizium (LTPS) TFT basierenden Aktivmatrizen sowie deren Schnittstelle zu OLEDs vorgestellt. Neben einer Übersicht über den aktuellen Flachbildschirmmarkt werden Grundlagen zur Funktion und Charakterisierung von Dünnschicht-Transistoren vorgestellt. Die in dieser Arbeit eingesetzten Dünnschichtprozesse und -Anlagen werden ebenso beschrieben wie die Eigenschaften von Silizium im Allgemeinen und LTPS im Speziellen. In den Prozess- Optimierungen wurden die Laserkristallisation, die dielektrischen Schichten, die Dotierung der Drain/Source-Bereiche und Metallisierungen intensiv auf deren Eignung für AMOLED- Bildschirme untersucht. Abschließend werden mehrere AMOLED-Prototypen vorgestellt, die im Rahmen dieser Arbeit hergestellt wurden, darunter auch ein 4,4 Zoll-Bildschirm mit einer Auflösung von QVGA (320×240) und damit einem gängigen Format (z.B. PDA, portable Navigationssysteme, etc.). aufweist.