Anderson Localization: Proceedings of the International Symposium, Tokyo, Japan, August 16–18, 1987: Springer Proceedings in Physics, cartea 28
Editat de Tsuneya Ando, Hidetoshi Fukuyamaen Limba Engleză Paperback – 16 dec 2011
Din seria Springer Proceedings in Physics
- Preț: 426.72 lei
- 18% Preț: 1007.35 lei
- 18% Preț: 1875.48 lei
- 18% Preț: 1268.55 lei
- 15% Preț: 641.71 lei
- 18% Preț: 1408.26 lei
- 18% Preț: 1397.19 lei
- 18% Preț: 948.16 lei
- 18% Preț: 1106.00 lei
- Preț: 298.48 lei
- 18% Preț: 1682.11 lei
- 18% Preț: 1233.06 lei
- 18% Preț: 1000.24 lei
- 18% Preț: 1122.56 lei
- 18% Preț: 1121.76 lei
- 18% Preț: 1120.18 lei
- 18% Preț: 1006.55 lei
- 18% Preț: 1121.76 lei
- 18% Preț: 1014.45 lei
- 18% Preț: 1010.48 lei
- 23% Preț: 650.15 lei
- 15% Preț: 642.03 lei
- 15% Preț: 640.37 lei
- 18% Preț: 1834.27 lei
- 18% Preț: 1220.26 lei
- 18% Preț: 1827.80 lei
- 18% Preț: 1222.80 lei
- 18% Preț: 1228.96 lei
- 18% Preț: 1217.41 lei
- 18% Preț: 1835.07 lei
- 18% Preț: 1235.25 lei
- 24% Preț: 881.65 lei
- 18% Preț: 952.09 lei
- 15% Preț: 639.73 lei
- 18% Preț: 1227.36 lei
- 18% Preț: 1568.47 lei
- 18% Preț: 1830.97 lei
Preț: 951.59 lei
Preț vechi: 1160.48 lei
-18% Nou
Puncte Express: 1427
Preț estimativ în valută:
182.10€ • 189.04$ • 151.85£
182.10€ • 189.04$ • 151.85£
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 22 martie-05 aprilie
Preluare comenzi: 021 569.72.76
Specificații
ISBN-13: 9783642735561
ISBN-10: 3642735568
Pagini: 392
Ilustrații: XI, 376 p.
Dimensiuni: 170 x 244 x 21 mm
Greutate: 0.62 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1988
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Springer Proceedings in Physics
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
ISBN-10: 3642735568
Pagini: 392
Ilustrații: XI, 376 p.
Dimensiuni: 170 x 244 x 21 mm
Greutate: 0.62 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1988
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Springer Proceedings in Physics
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
Public țintă
ResearchCuprins
Contents: The Metal-Insulator Transition in Doped Semiconductors.- The Metal-Insulator Transition in Metals.- Theory of the Metal-Insulator Transition.- Weak Localization Effects in Metals.- Weak Localization Effects: Space-Charge Layers.- Theory of Weak Localization Effects.- The Quantum Hall Effect and Localization in High Magnetic Fields.- Quasicrystals.- Mesoscopic Systems: Theory.- Mesoscopic Systems: Experiments.- Index of Contributors.