Atomic Layer Epitaxy
Autor T. Suntola, M. Simpsonen Limba Engleză Paperback – 20 sep 2011
Preț: 635.01 lei
Preț vechi: 747.06 lei
-15% Nou
Puncte Express: 953
Preț estimativ în valută:
121.54€ • 126.41$ • 101.85£
121.54€ • 126.41$ • 101.85£
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 14-28 martie
Preluare comenzi: 021 569.72.76
Specificații
ISBN-13: 9789401066617
ISBN-10: 9401066612
Pagini: 196
Ilustrații: 280 p.
Dimensiuni: 152 x 229 x 10 mm
Greutate: 0.27 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1990
Editura: SPRINGER NETHERLANDS
Colecția Springer
Locul publicării:Dordrecht, Netherlands
ISBN-10: 9401066612
Pagini: 196
Ilustrații: 280 p.
Dimensiuni: 152 x 229 x 10 mm
Greutate: 0.27 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1990
Editura: SPRINGER NETHERLANDS
Colecția Springer
Locul publicării:Dordrecht, Netherlands
Public țintă
ResearchCuprins
1 Chemical aspects of the Atomic Layer Epitaxy (ALE) process.- 1.1 Introduction.- 1.2 Requirements for ALE growth.- 1.3 Source materials used in ALE.- 1.4 Doping of thin films.- 1.5 Growth of thin films.- 1.6 Concluding remarks and outlook 36.- References.- 2 Theoretical aspects of ALE growth mechanisms.- 2.1 Introduction.- 2.2 Theoretical methods.- 2.3 ALE systems.- 2.4 Conclusions 60.- References.- 3 Comparison of ALE with other techniques.- 3.1 Inroduction.- 3.2 MOVPE.- 3.3 Molecular beam epitaxy.- 3.4 Hybrid areas.- 3.5 Comparison of MOVPE, MBE and ALE.- References.- 4 ALE of III-V compounds HO.- 4.1 Introduction.- 4.2 Self-limiting mechanism.- 4.3 Experimental approaches for ALE of III-V compounds.- 4.4 Review of experimental results.- 4.5 Potential applications of ALE.- 4.6 Conclusion 152.- References.- 5 ALE of II-VI compounds.- 5.1 Introduction.- 5.2 ALE.- 5.3 Reflection high energy electron diffraction (RHEED) observation.- 5.4 Characterisation of ALE-grown Zn chalcogenide layers.- 5.5 Summary 177.- References.