Die hochempfindliche Methode der Microwave Detected Photoconductivity" (MDP) wird eingesetzt, um technologisch relevante Halbleiterparameter wie die Ladungstragerlebensdauer, Photoleitfahigkeit und Defektkonzentrationen uber viele Grossenordnungen der optischen Anregung hinweg zu untersuchen. Durch die Entwicklung und die Anwendung eines neuartigen Modellierungssystems fur die Ladungstragerdynamik in Halbleitern konnen wichtige Defektparameter quantitativ aus MDP Messungen in Abhangigkeit der Anregungsintensitat bestimmt werden. Ein Verfahren zur Charakterisierung von Haftstellen (Konzentration, Energielage, Einfangsquerschnitt) bei konstanter Temperatur wird vorgestellt. Das technologisch relevante Verfahren des quantitativen Eisennachweises in p-dotiertem Silizium wird fur die MDP Methode angepasst und entsprechende Messergebnisse mit DLTS Resultaten verglichen. Ein detaillierter Vergleich der gangigsten kontaktlosen Messverfahren QSSPC und MW-PCD mit der MDP zeigt, dass entgegen gangiger Annahmen die unterschiedlichen Anregungsbedingungen zu drastischen Unterschieden in den gemessenen Werten der Ladungstragerlebensdauer fuhren."