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Bruit Basse Frequence Dans Les Transistors Bipolaires a Heterojonction: Enjeux Organisationnels Et Manageriaux

Autor Cyril Chay
fr Limba Franceză Paperback – 30 apr 2012
Resume: Ce travail a consiste a caracteriser des transistors bipolaires a heterojonction par des mesures de bruit basse frequence (BF). Cette etude a porte sur deux types de composants: des transistors Si/SiGe et Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS avancees. Les mesures de bruit basse frequence sont effectuees en fonction de la polarisation sur des transistors presentant differents parametres technologiques (surface d'emetteur, profil du Germanium, ...) afin de pouvoir localiser et analyser les sources de bruit. Nous avons pu modeliser le bruit en 1/f associe au courant de base ce qui nous a permis d'extraire les parametres SPICE utilises dans les modeles de simulation electrique des circuits. Un facteur de merite reliant les performances frequentielles et les performances en bruit BF a ete propose. Une etude de l'influence du stress electrique sur des transistors Si/SiGe a ete effectuee pour localiser les defauts et les sources de bruit associees."
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Specificații

ISBN-13: 9783838180113
ISBN-10: 3838180119
Pagini: 140
Dimensiuni: 152 x 229 x 8 mm
Greutate: 0.21 kg
Editura: Editions universitaires europeennes EUE

Notă biografică

Docteur en électronique, Études en électronique et microélectronique à l'Université Montpellier II, Ingénieur composants.