Dans ce travail, nous avons effectué une étude théorique et numérique des propriétés de transport électronique dans des couches minces métalliques et semiconductrices. Dans une première partie, nous avons rappelé les différents modèles de conduction électronique dans des couches minces et fils fins métalliques. Puis, nous avons comparé les différentes équations qui décrivent l¿évolution de la résistivité électrique, en fonction de l¿épaisseur de la couche, du diamètre des joints de grains, du coefficient de transmission t et du coefficient de réflexion spéculaire p. Ces résultats théoriques sont comparés aux résultats expérimentaux obtenus sur les couches minces de cuivre. Dans une seconde partie, nous avons appliqué la méthode de Monte Carlo aux couches minces de Si-p, dans le modèle des temps de relaxation et nous avons déterminé la vitesse des trous en régime transitoire puis nous avons déduit la variation de la résistivité électrique et de la mobilité des trous en fonction de l¿épaisseur de la couche. La conductivité thermique des couche minces du silicium est également étudiée.