Les semi-conducteurs a grand gap sont utilises pour fabrication d'emetteurs de lumiere dans le domaine spectrale UV-VIS. Materiaux comme GaN et ZnO presentent des proprietes excitoniques speciales: la force d'oscillateur est elevee et l'energie de liaison des excitons est grande. Due a l'elargissement inhomogene des excitons assez important dans les heterostructures, les resonances des excitons sont larges, ce qui rend difficile et imprecise l'extraction de leur parametres. Ce travail est consacre a l'etude theorique et experimentale des puits quantiques GaN/AlGaN et ZnO massif, basee sur l'analyse de leurs spectres de reflectivite. Une technique d'analyse originale des spectres de reflectivite experimentaux a ete developpee et employee pour la determination de la force d'oscillateur des excitons dans les structures a base de GaN et ZnO. Les parametres obtenus ont ete utilises pour proposer des microcavites modeles, realisees a base de ces materiaux. Grace au regime de couplage fort exciton-lumiere dans ces structures, la condensation de Bose des polaritons dans les microcavites est possible jusqu'a la temperature ambiante."