Cet ouvrage est une etude sur la deposition de couche mince a-Si: H elaboree a partir d'un melange (SiH4 + H2) par les procedes CVD assistes par plasma. Pour la simulation numerique, nous avons utilise la methode de Monte Carlo. Le modele cinetique collisionnel choisi a permis d'etudier les phenomenes physico-chimiques et les proprietes collisionnelles dans le volume du reacteur et a la surface du substrat. Pour calculer les probabilites de la reactivite des radicaux SiHx avec la surface (SFRP), nous avons introduit un nouveau concept: la probabilite de reactivite sur un site (SRP). Cette nouvelle probabilite calculee, permet de calculer analytiquement les probabilites de collage, de recombinaison et de reactivite a la surface. A nos connaissances, c'est le premier modele analytique qui calcul ces probabilites. Pour des temperatures du gaz variant de 373 K a 750 K, la valeur moyenne de la SFRP de SiH3 calculee est 0,30 0,08. Cette valeur est la meme que celle mesuree dans des travaux de Kessels et Hoefnagels. Nous avons presente aussi un traitement de l'aspect fluide en resolvant l'equation de diffusion."