La mayor parte de la investigación sobre el consumo de energía de los circuitos se ha centrado en la potencia de conmutación y la potencia disipada por la corriente de fuga ha sido el área relativamente menor. Sin embargo, en el proceso VLSI actual, la corriente de subumbral se convierte en uno de los principales factores del consumo de energía, especialmente en las memorias de gama alta. Para reducir la potencia de fuga en la SRAM, se puede aplicar el método de activación de potencia y una de las principales técnicas de activación de potencia es el uso de transistores de reposo para controlar la corriente subumbral. En este proyecto, se adoptan voltajes de umbral duales; las células SRAM normales tienen voltajes de umbral más bajos y los voltajes de umbral más altos controlan los transistores de reposo. El tamaño de los transistores sleep puede elegirse en función de la corriente del peor caso y se aplican a cada bloque.