Dans ce travail, nous presentons une etude experimentale par photoluminescence sur des couches de GaAsN dopees au silicium. En premier lieu, nous donnerons une description de la structure cristalline, de la structure de bandes des materiaux III-V (en particulier de GaAs), ainsi que des proprietes optiques et des conditions d'interaction rayonnement-semiconducteur. Ensuite, une etude theorique sera dediee au modele d'anticroisement de bandes (BAC) qui permet une meilleure interpretation des observations experimentales inhabituelles (diminution de l'energie de la bande interdite, augmentation de la masse effective et parametre de courbure geant) suite a l'incorporation de l'azote dans la matrice de GaAs. Enfin, nous aborderons l'etude de l'effet du dopage sur les couches de GaAsN ainsi que l'analyse des resultats experimentaux par photoluminescence."