Einführung in die Halbleitertechnologie
Autor Waldemar Münchde Limba Germană Paperback – 1993
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Specificații
ISBN-13: 9783519061670
ISBN-10: 3519061678
Pagini: 276
Ilustrații: VI, 264 S. Mit 39 Tafeln.
Dimensiuni: 155 x 235 x 14 mm
Greutate: 0.39 kg
Ediția:1993
Editura: Vieweg+Teubner Verlag
Colecția Vieweg+Teubner Verlag
Locul publicării:Wiesbaden, Germany
ISBN-10: 3519061678
Pagini: 276
Ilustrații: VI, 264 S. Mit 39 Tafeln.
Dimensiuni: 155 x 235 x 14 mm
Greutate: 0.39 kg
Ediția:1993
Editura: Vieweg+Teubner Verlag
Colecția Vieweg+Teubner Verlag
Locul publicării:Wiesbaden, Germany
Public țintă
Upper undergraduateCuprins
1 Einleitung.- 1.1 Halbleiterwerkstoffe.- 1.2 Halbleitereigenschaften.- 1.3 Halbleiterbauelemente.- 2 Halbleitermaterial.- 2.1 Bereitstellung des Rohmaterials.- 2.2 Kristallisation.- 2.3 Scheibenherstellung.- 3 Epitaxie.- 3.1 Gasphasenepitaxie.- 3.2 Molekularstrahlepitaxie.- 3.3 Flüssigphasenepitaxie.- 4 Dotierungsverfahren.- 4.1 Dotierstoffe.- 4.2 Dotierung während der Kristallzucht.- 4.3 Epitaktischer Schichtaufbau.- 4.4 Legierungstechnik.- 4.5 Diffusion.- 4.6 Ionenimplantation.- 5 Schichtherstellung.- 5.1 Dielektrika.- 5.2 Halbleiter.- 5.3 Metalle und Silizide.- 6 Strukturierung.- 6.1 Lithographie.- 6.2 Ätztechnik.- 6.3 Abhebetechnik.- 7 Aufbau- und Verbindungstechnik.- 7.1 Ohmsche Kontakte.- 7.2 Chipmontage.- 7.3 Kontaktierung.- 8 Halbleiterbauelemente.- 8.1 Dioden.- 8.2 Bipolartransistoren.- 8.3 Thyristoren.- 8.4 Feldeffekttransistoren.- 8.5 Optoelektronische Bauelemente.- 9 Integrierte Schaltungen.- 9.1 Isolationstechnik.- 9.2 Integrierte Bipolarschaltungen.- 9.3 Integrierte Schaltungen mit Feldeffekttransistoren.- Literatur.
Notă biografică
Prof. Dr. phil. nat. Waldemar von Münch (em.), Institut für Halbleitertechnik, Universität Stuttgart