Ce travail porte sur l'elaboration et la caracterisation des films de nitrure de titane deposes sur silicium par CVD a partir des precurseurs: tetrachlorure de titane (TiCl4), ammoniac (NH3) et hydrogene (H2). Les films sont realises dans un reacteur basse pression a chauffage rapide (RTLPCVD). Deux procedes de depot ont ete proposes: un monocycle et un multicycle, ainsi que deux groupes de parametres: le groupe 1 avec une haute temperature de depot (800 C) et une phase gazeuse riche en ammoniac et le groupe 2 avec une faible temperature de depot (500 C) et une phase gazeuse pauvre en ammoniac. L'etude des coefficients de sursaturation et des energies libres de surface a permis de calculer les rayons des germes critiques. Des hypotheses sur les modes de croissance ont ete emises: la germination des couches elaborees avec les parametres du groupe 1 se ferait selon le mode de germination 2D-3D alors que la germination des groupes elaborees avec les parametres du groupe 2 se ferait selon le mode de croissance 3D. Les depots ont ete caracterises par diffraction X, RBS, XPS, mesure de resistivite, spectrocolorimetrie, rugosite de surface et comportement tribologique."