Cette etude est une tentative d'epitaxie par ablation laser de l'oxyde de forte permittivite Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST) sur silicium en vue de l'integration de condensateurs de forte capacite. Nous montrons d'abord l'effet benefique d'une croissance de BST orientee selon les plans (h00) sur substrat monocristallin SrTiO3(100) sur la valeur de la permittivite du film. Comme par ailleurs nous confirmons que la croissance du BST sur substrat Pt(111)/TiOx/SiO2/Si (0