Ce travail est consacre a l'etude de la croissance par Epitaxie en Phase Vapeur par pyrolyse d'OrganoMetalliques a pression atmospherique de l'alliage GaAs1-xBix. Ce materiau, tres attrayant pour les applications dans l'infrarouge (IR), peut avoir un gap qui peut atteindre l'IR lointain suivant la composition x en Bi. Cette etude est commencee par l'evaluation de l'effet du Bi sur des surfaces GaAs ayant differentes orientations cristallines. Les caracterisations ont mis en evidence la formation d'ilots de Bi de taille et de densite qui dependent fortement des conditions de depot. Une faible energie d'adhesion du Bi a hautes temperatures est marquee. La deuxieme etape est consacree a l'optimisation de la croissance de l'alliage GaAsBi. Ces etudes ont montre le succes de l'epitaxie de GaAsBi de bonne qualite cristalline jusqu'a une composition voisinant 4%. Ainsi, nous avons etabli les conditions optimales suivantes: une temperature de croissance relativement basse de l'ordre de 420 C, un rapport V/III avoisinant 10 et un faible debit de TMBi de l'ordre de 2 10-7 mole/min. Les couches obtenues sont thermiquement stables meme apres un recuit a 550 C pendant 15 min."