Struktury kremniy-na-sapfire (KNS) ispol'zuyutsya dlya sozdaniya bystrodeystvuyushchikh integral'nykh skhem s povyshennoy radiatsionnoy stoykost'yu. V rabote privedeny rezul'taty issledovaniya monokristallicheskikh submikronnykh sloev kremniya na sapfire, vyrashchennykh metodom molekulyarno-luchevoy epitaksii s ispol'zovaniem sublimatsionnogo istochnika Si. Soobshchayutsya nekotorye osobennosti razrabotannykh ustroystv dlya rosta sloev kremniya na sapfire iz sublimatsionnogo istochnika Si, raspolozhennogo v kamere rosta sverkhvysokovakuumnoy ustanovki. Rassmatrivayutsya voprosy podgotovki poverkhnosti sapfira pered rostom putem otzhiga i issleduyutsya nachal'nye stadii rosta sloev kremniya, a takzhe vliyanie tekhnologicheskikh parametrov rosta (temperatura, skorost', tolshchina, ispol'zovanie dvukhtemperaturnogo rezhima rosta, obluchenie poverkhnosti rosta nizkoenergeticheskimi ionami) na strukturu i morfologiyu sloev kremniya na sapfire. Otmechaetsya, chto temperatura rosta sloev kremniya na sapfire v dannom metode mozhet byt' snizhena do 500ºC po sravneniyu s drugimi metodami. Soobshchaetsya o nekotorykh elektricheskikh i opticheskikh parametrakh vyrashchennykh KNS-struktur.