La recherche dans le domaine du photovoltaique a comme but d'ameliorer le rendement des cellules solaires en etudiant les proprietes physiques des semi-conducteurs, parmi ces derniers les composes ternaires en phase chalcopyrite comme CuGaX (X=S, Se) qui ont attire beaucoup d'attention a cause de leurs proprietes physiques interessantes et les diverses applications dans les cellules solaires l'electronique et l'optique. Notre travail consiste, de ce fait a l'etude des proprietes structurales et electroniques des semi-conducteurs chalcopyrites CuGaS et CuGaSe . Les calculs ont ete effectues par la methode FP-LAPW qui se base sur la DFT. Nous avons utilise la GGA pour le terme du potentiel d'echange et de correlation. Nous avons optimise la valeur du parametre interne par relaxation des positions des atomes en utilisant les valeurs experimentales du parametre du reseau. Les valeurs du parametre de maille d'equilibre sont en accord avec les resultats experimentaux disponibles. Les resultats obtenus pour la structure de bandes en utilisant la GGA montrent une amelioration par rapport a ceux trouves dans d'autres travaux theoriques et sont plus proches aux donnees experimentales."