Les memoires PC-RAM integrent entre deux electrodes un materiau a changement de phase, le chalcogenure Ge2Sb2Te5, qui peut basculer reversiblement entre un etat amorphe resistif (OFF) et un etat cristallin conducteur (ON). Le but de la these est d''etudier les phenomenes electrothermiques intervenant lors de l''amorphisation et la cristallisation. Nous caracterisons les differences thermiques et electriques des deux phases, notamment par la mesure de leur conductivite thermique (methode 3 ), et par le trace des caracteristiques electriques I(V). Nous etudions egalement en detail les mecanismes de la transition OFF ON, pour laquelle nous mettons en evidence la formation d''un filament amorphe conducteur instable. Nous presentons les resultats des tests dynamiques effectues sur nos cellules microniques et submicroniques. Enfin, nous analysons quelques modelisations et simulations numeriques, en montrant la difficulte experimentale a eviter la fusion lors du processus de cristallisation."