Le developpement tres remarque des technologies basees sur l'electronique, l'optique et l'optoelectronique a ete rendu possible grace aux avancees realisees dans les domaines de conception des semi-conducteurs et de comprehension de leurs proprietes electroniques, optiques et structurales. L'etude de ces composes se trouve confrontee a des problemes lies a la presence et a la diffusion des imperfections. L'etude des semi-conducteurs en couches minces constitue depuis longtemps un axe majeur de la recherche scientifique. Les methodes VPE et CVD sont tres utilisees pour la croissance cristalline et la spectrometrie Mossbauer occupe une place particuliere dans l'etude et la detection des defauts. Ce livre donne un resume sur la nature des inperfections et leurs mecanismes de diffusion dans les semi-conducteurs. Il presente egalement une explication detaillee du principe de l'effet Mossbauer et de la technique de spectrometrie Mossbauer. Une autre grande partie de ce livre est consacree a la presentation d'une etude detaillee sur la conception par la methode VPE-CVD des couches minces du sulfure de cadmium (CdS) et leurs analyses par spectrometrie Mossbauer."