Le fonctionnement des dispositifs electroniques repose sur la densite de porteurs de charge libre disponible dans les semi-conducteurs; dans la plupart des dispositifs semi-conducteurs, cette densite est controlee par l''ajout d''atomes dopant. Lorsque la taille des composantes diminue, la presence d''interfaces et de materiaux adjacents aux semi-conducteurs aura une influence importante qui determinera completement les proprietes electroniques du dispositif. Afin d''ameliorer leurs performances et leurs domaines d''application, de nouvelles architectures de transistor a effet de champ (FinFET, nanofils transistors a effet de champ) ont ete proposees pour remplacer les dispositifs planaires utilises aujourd''hui. Le bon fonctionnement de ces dispositifs depend de notre capacite a mieux controler l''emplacement et le nombre d''atomes d''impuretes dans les semi-conducteurs lors du processus de fabrication. Nous montrons ici, que la densite de porteur de charge libre dans les nanofils de semi-conducteurs depend de leur taille, que leur propriete electronique depend completement de leur environnement dielectrique."