Les progres realises dans l'electronique conduit a une relance du debat sur la fiabilite et la duree de vie des composants ou des systemes. La temperature limite la duree de vie et joue un role essentiel dans les mecanismes de degradation, neanmoins reste la principale cause dans la majorite des cas. Dans ce contexte, ce livre presente une synthese des effets de porteurs chauds sur les performances de dispositif RF LDMOS de puissance, apres tests de vieillissement sous diverses conditions. Une caracterisation precieuse (IC-CAP) a ete effectuee et un nouveau modele electrothermique (ADS) a ete implante prenant en compte l'evolution de la temperature, lequel est utilise comme outil de fiabilite (extraction des parametres). Par la suite, un examen complet des derives des parametres electriques critiques est expose et analyse. Pour parvenir a une meilleure comprehension des phenomenes physiques de degradation, mis en jeu dans la structure, nous avons fait appel a une simulation physique 2-D (Silvaco-Atlas). Finalement, l'etude montre que le mecanisme de degradation est le phenomene d'injection des porteurs chauds dans les pieges d'oxyde deja existants et/ou dans l'interface Si/ SiO2."