Sozdanie vysokochuvstvitel'nykh magnitnykh sensorov i priborov spintroniki, rabotayushchikh pri komnatnoy temperature, yavlyaetsya aktual'noy problemoy fiziki magnetizma. Eta problema mozhet byt' reshena polnost'yu ili chastichno s pomoshch'yu effekta gigantskogo inzhektsionnogo magnitosoprotivleniya (IMR-effekta), obnaruzhennogo v 2005 godu na geterostrukturakh, sostoyashchikh iz plenki SiO2 s nanochastitsami Co na arsenide galliya - SiO2(Co)/GaAs. IMR-effekt proyavlyaetsya pri inzhektsii elektronov iz SiO2(Co) v GaAs i dostigaet ekstremal'no bol'shikh znacheniy 100000% pri komnatnoy temperature. Predstavlennaya teoreticheskaya model' ob"yasnyaet effekt deystviem magnitoupravlyaemogo spin-zavisimogo bar'era, sformirovannogo v interfeysnoy oblasti poluprovodnika. Na osnove IMR-effekta vozmozhno sozdanie vysokochuvstvitel'nykh sensorov i inzhektorov spin-polyarizovannykh elektronov v spintronnykh priborakh. Rassmotreno vliyanie sveta na provodimost' SiO2(Co)/GaAs i opisany dva novykh yavleniya - otritsatel'naya fotoprovodimost' i usilenie fototoka v magnitnom pole, kotorye mogut nayti primenenie v lavinnykh fotodiodakh. Monografiya rasschitana na studentov, aspirantov i nauchnykh rabotnikov, spetsializiruyushchikhsya v oblasti fiziki magnitnykh yavleniy.