Ce travail concerne le developpement et l'evaluation de nitrures d'elements III epitaxies sur substrat de silicium (111). L'objectif de notre travail etait la realisation et l'etude d'heterostructures (Al, Ga)N/GaN en vue d'evaluer leurs potentialites pour deux types d'applications. La premiere concerne les microcavites destinees a l'etude du couplage exciton-photon et a la fabrication de diodes electroluminescentes a cavite resonante (DELs-CR). La seconde a trait aux dispositifs hyperfrequences de type transistors a gaz 2D d'electrons. Le chapitre I est consacre a la description d'un procede de croissance de GaN sur Si par epitaxie sous jets moleculaires, L'etude des proprietes electriques et optiques d'heterostructures (Al, Ga)N/GaN est reportee au chapitre II. Dans le chapitre III nous proposons et developpons un moyen de controler la contrainte dans les superreseaux (Al, Ga)N/GaN. De tels superreseaux sont elabores pour la fabrication de DELs-CR emettant dans le bleu. Finalement, le regime de couplage fort exciton-photon est pour la premiere fois mis en evidence dans les nitrures d'elements III."