Cette travail propose une nouvelle methodologie pour l'etude de la fiabilite des TBHs en technologie SiGe. L'originalite de cette etude vient de l'utilisation d'une contrainte electromagnetique efficace et ciblee a l'aide du banc champ proche. Les caracterisations statiques ont montre la presence des courants de fuite a l'interface Si/SiO2.Ceci est attribue a un phenomene de piegeage induit par des porteurs chauds. Ce phenomene a ete aborde par la modelisation physique en etudiant l'influence des pieges d'interfaces sur la derive des performances. Afin de visualiser les defaillances qui peuvent etre detectees par microscopie, des observations en haute resolution MET et des analyses EDS ont ete presentees. Ces analyses microscopiques ont mis en evidence les degradations des couches de titane. Ces degradations sont attribuees a un phenomene de migration de l'or (Au) vers le titane (Ti) due a la forte densite de courant induite par vieillissement. Ces reactions Au-Ti provoquent une augmentation de la resistivite des couches conductrices et expliquent une partie de la degradation significative des performances dynamiques du TBH."