Le germanium est un candidat pour la realisation des futurs transistors MOS, du fait de la plus grande mobilite des porteurs par rapport au silicium. Il a ete abandonne il y a une quarantaine d'annees au profit du silicium et doit donc etre redecouvert. Le but de ce travail est de comprendre les mecanismes mis en jeu au cours du dopage du germanium. Il est d'abord verifie que le modele de la densite d'energie critique permet de predire la formation et l'extension des couches amorphes dans le germanium. La vitesse d'epitaxie en phase solide est ensuite mesuree et pour la premiere fois dans le germanium, des defauts end-of-range sont observes. Ceux-ci sont de nature interstitielle. Le phosphore enfin permet d'obtenir des jonctions plus fines et de meilleurs niveaux d'activation que l'arsenic. Sa diffusion est simulee, avec un modele prenant en compte l'exces d'interstitiels genere par implantation. Un phenomene de diffusion acceleree est ainsi mis en evidence."