Il progresso dell'integrazione su larghissima scala consente di collocare miliardi di transistor e componenti su un singolo chip a semiconduttore per l'implementazione di circuiti complessi. La crescita della tecnologia recente va verso la miniaturizzazione dei dispositivi a semiconduttore, che presentano diversi ostacoli evidenti nella dissipazione del calore, nell'utilità energetica, nell'area del chip e nell'efficienza dei dispositivi. Man mano che la tecnologia avanza verso il livello submicronico profondo, le dimensioni delle caratteristiche, la dissipazione di potenza dovuta alla corrente di dispersione aumenta in modo allarmante. Numerose proiezioni mostrano che nei prossimi anni la potenza di dispersione diventerà analoga alla dissipazione di potenza dinamica; tuttavia, anche la potenza dinamica sta aumentando e continua a dominare. La soluzione ottimale per risolvere questi problemi consiste nell'analizzare le prestazioni dei circuiti VLSI progettati con diverse tecnologie CMOS.