L'ONL est un domaine fascinant qui joue un rôle majeur dans la photonique et l'optoélectronique. C'est l'étude de l'interaction de champs électromagnétiques intenses avec des matériaux pour produire des champs modifiés qui sont différents du champ d'entrée en phase, en fréquence ou en amplitude. Ces derniers temps, l'influence des impuretés ou des additifs sur la cristallisation est un sujet d'intérêt croissant dans les sciences pures, les sciences de l'ingénieur et la médecine. Il est bien connu que le dopage influence les propriétés mécaniques, électriques, électroniques, optiques et la morphologie de la surface en fonction de la nature du matériau hôte et du dopant. Bien qu'un grand nombre d'études illustrant l'effet des dopants aient été réalisées, aucune étude systématique en présence d'une large gamme de concentrations d'impuretés métalliques des blocs s-, p-, d- et f- qui influencent les propriétés physiques, en particulier sur les cristaux de dihydrogénophosphate de potassium (KDP), l'hydrogénophtalate de potassium (KHP) n'a été rapportée. Les éléments des blocs s-, p-, d- et f- ont des configurations électroniques différentes et l'étude de leur influence en tant qu'impuretés incorporées dans le cristal hôte révélera de nombreuses caractéristiques intéressantes.