Ionenimplantation
Autor Heiner Ryssel, Ingolf Rugede Limba Germană Paperback – iun 1978
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Specificații
ISBN-13: 9783519032069
ISBN-10: 3519032066
Pagini: 368
Ilustrații: 366 S. 369 Abb.
Dimensiuni: 170 x 244 x 19 mm
Greutate: 0.59 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1978
Editura: Vieweg+Teubner Verlag
Colecția Vieweg+Teubner Verlag
Locul publicării:Wiesbaden, Germany
ISBN-10: 3519032066
Pagini: 368
Ilustrații: 366 S. 369 Abb.
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Greutate: 0.59 kg
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Editura: Vieweg+Teubner Verlag
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Public țintă
Professional/practitionerCuprins
1 Einleitung.- 1.1 Eigenschaften und Möglichkeiten der Ionenimplantation.- 1.2 Historischer Rückblick.- 2 Grundlagen der Ionenimplantation.- 2.1 Reichweite von Ionen in Festkörpern.- 2.2 Strahlenschäden in Festkörpern.- 2.3 Der Channeling-Effekt.- 3 Probleme bei der Implantation in reale Festkörper.- 3.1 Wirkung und Ausheilen von Strahlenschäden.- 3.2 Elektrische Aktivierung implantierter Ionen.- 3.3 Reichweiteverteilung in Zweischichtstrukturen.- 3.4 Maskierungsschichten.- 3.5 Laterale Streuung.- 3.6 Passivierungsschichten.- 3.7 lonenzerstäubung während der Implantation.- 3.8 Diffusion.- 3.9 Probenerwärmung.- 4 Ionenimplantationsapparaturen.- 4.1 Ionenquellen.- 4.2 Beschleunigung und Fokussierung.- 4.3 Strahlanalyse.- 4.4 Strahlablenkung und Homogenität.- 4.5 Probenkammer.- 4.6 Vakuum.- 5 Meßmethoden zur Untersuchung ionenimplantierter Schichten.- 5.1 Anätzen von pn-Übergängen.- 5.2 Bestimmung des Leitungstyps.- 5.3 Kapazität-Spannung-Messung.- 5.4 Schichtwiderstandsmessungen.- 5.5 Halleffektmessungen.- 5.6 Messung des Ausbreitungswiderstandes.- 5.7 Strom-Spannung-Messung.- 5.8 Analyse implantierter Schichten mit energiereichen, leichten Ionen.- 5.9 Aktivierungsanalyse.- 6 Eigenschaften ionenimplantierter Halbleiterschichten.- 6.1 Implantation in Silicium.- 6.2 Implantation in Germanium.- 6.3 III-V-Halbleiter.- 6.4 Implantation in II-VI- und IV-VI-Halbleiter.- 6.5 Siliciumkarbid.- 7 Bauelemente.- 7.1 MOS-Bauelemente.- 7.2 Widerstände.- 7.3 Dioden.- 7.4 Bipolare Transistoren.- 7.5 Feldeffekttransistoren.- 7.6 Verschiedene Halbleiterbauelemente.- 8 Implantation in Nichthalbleiter.- 8.1 Implantation in Metalle.- 8.2 Implantation in optische Materialien.- 8.3 Weitere Anwendungen der Implantation auf Nichthalbleiter..- 9 Anhang.- 9.1 Daten von Halbleiternund Isolatoren.- 9.2 Diffusionskoeffizienten.- 9.3 Löslichkeiten von Elementen in Silicium und Germanium.- 9.4 Reichweitetabellen.- 9.5 Häufigkeit der Isotope.- 9.6 Dampfdruck.- 9.7 Fehlerfunktion.- 10 Literatur.- Bücher und Übersichtsartikel.- Bibliographien.- Konferenzberichte.- Fachartikel.