Predstavleny rezul'taty issledovaniy protsessa generatsii i parametrov impul'snogo ionnogo puchka gigavatnoy moshchnosti, formiruemogo diodom s vzryvoemissionnym potentsial'nym elektrodom v rezhime magnitnoy samoizolyatsii. Issledovaniya provedeny na uskoritele TEMP-4M v rezhime formirovaniya dvukh impul'sov - pervyy (plazmoobrazuyushchiy) otritsatel'nyy i vtoroy polozhitel'nyy (150 ns, 250-300 kV). Obnaruzheno, chto posle izmeneniya polyarnosti napryazheniya realizuetsya effekt plazmennogo szhatiya. Predlozhena model' ogranicheniya emissii elektronov, ob"yasnyayushchaya snizhenie elektronnoy komponenty polnogo toka. Razrabotana model' usileniya plotnosti ionnogo toka. Predstavleny rezul'taty issledovaniya stabil'nosti generatsii impul'snogo ionnogo puchka. Dlya uvelicheniya effektivnosti generatsii ionnogo toka predlozhena spiral'naya geometriya dioda. V novoy konstruktsii vpervye udalos' realizovat' snizhenie elektronnogo toka sobstvennym magnitnym polem - vremya dreyfa elektronov znachitel'no prevysilo vremya nakhozhdeniya ionov v anod-katodnom zazore. Eto privelo k rostu do 22-25% effektivnosti preobrazovaniya energii, podvodimoy k diodu, v energiyu uskorennykh ionov. Spiral'nyy diod imeet resurs raboty bolee 10^7 impul'sov.