Dans le présent travail, nous avons utilisé les propriétés optiques de films minces d'oxyde de zinc pur et dopé comme semi-conducteur de type n. Les films minces ont été déposés à différentes molarités de précurseur par des techniques de pulvérisation ultrasonique et de pyrolyse par pulvérisation, ainsi qu'à différentes températures de substrat, les films minces de ZnO dopés avec différents dopants tels que Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn dopés. Dans ce travail, l'attention a été portée sur la nouvelle approche actuelle pour calculer l'énergie de la bande interdite et les énergies d'Urbach. Le modèle proposé pour calculer la bande interdite ou les énergies d'Urbach des films minces de ZnO non dopés et dopés a été étudié. La relation entre les données expérimentales et le calcul théorique avec les molarités des précurseurs suggère que la bande interdite ou les énergies d'Urbach sont principalement estimées par la bande interdite ou les énergies d'Urbach et la concentration de la solution de ZnO.