Les fortes exigences de fonctionnement ont augmente la quantite de contraintes appliquees aux transistors qui constituent les modules de puissance dans les radars et ont un impact direct sur leurs temps de vie. Une connaissance approfondie de cet impact est necessaire pour une meilleure estimation de la fiabilite des modules. C'est pour toutes ces raisons, qu'une etude a ete engagee pour elaborer de nouvelles methodes d'investigations de la fiabilite des composants RF de puissance en conditions de fonctionnement Radar pulse. Par consequent, ce travail presente un banc dedie specifiquement a des tests de vie sur des composants RF de puissance sous des conditions de pulse RF. Un transistor RF LDMOS a ete retenu pour nos premiers tests en vieillissement acceleres sous diverses conditions. Des caracterisations electriques ont ete effectuees. Ainsi, un examen complet de ces parametres electriques critiques est expose et analyse. Toutes les derives des parametres electriques apres un vieillissement accelere sont etudiees et discutees. Pour comprendre les phenomenes physiques de degradation, mis en jeu dans la structure, nous avons fait appel a une simulation physique 2-D (Silvaco)."