Aujourd¿hui, la loi de Moore est affectée par les limitations physiques rencontrées dans les technologies avancées entrainant ainsi leur complexification. Il devient alors nécessaire de développer de nouveaux procédés, comme illustré dans le cas de l¿épitaxie. Parce que les procédés CVD sont devenus très performants, ils offrent des solutions technologiques qui permettent de poursuivre la miniaturisation des composants grâce à leur intégration décisive dans ces technologies. L¿objectif de cette thèse est donc de répondre à cette demande de nouveaux procédés par l¿étude de l¿élaboration de nano-objets Si & SiGe réalisés par RTCVD. Dans cet ouvrage, nous discutons des caractéristiques physiques des films Si & SiGe déposés (ou gravés) en fonction de paramètres physiques (orientation cristalline, température¿) et de paramètres liés aux impératifs de production (effets de charge, choix d¿un procédé¿). Dans une dernière partie, nous présentons l¿effet de recuits sur des objets Si & SiGe de géométrie et de taille différentes. L¿ensemble de nos résultats nous a alors permis d¿intégrer efficacement une étape d¿épitaxie dans la fabrication d¿un dispositif avancé; le transistor FinFET.