Les propriétés inhabituelles des composés chalcopyrite ternaire ont engendré un intérêt particulier, d'ailleurs plusieurs recherches ont été effectuées concernant le domaine d'application, l'intérêt technologique, et la possibilité de développement de ces matériaux. Les propriétés les plus importantes sont : le gap d'énergie optique et la grande conductivité offertes par ces matériaux qui les émergent récemment comme des matériaux dispositifs très important en technologie, incluant des applications dans les cellules solaires photovoltaïques et les diodes électroluminescentes, et cela soit sous forme des matériaux nano- cristaux (plus de 12% d'efficacité), ou bien des couches minces poly cristalline ( au moins de 9.4% d'efficacité). Notre but dans ce travail c'est d'étudier les propriétés électroniques et positroniques des semi- conducteurs chalcopyrites ternaires ZnXP2 et CdXP2 (X=Si, Ge, et Sn) en utilisant la méthode du premier principe FPLAPW. Pour cela, une étude comparative avec les composés binaire de type Zinc Blende a été développée sur les propriétés structurales, électroniques, optiques et même positroniques.