Ce travail consiste a l'asservissement et la mise en marche d'un reacteur d'epitaxie par jets chimiques au Laboratoire d'Epitaxie Avancee de l'Universite de Sherbrooke. Le reacteur sert a la croissance dans l'ultravide de materiaux semi-conducteurs tels que l'arseniure de gallium (GaAs) et le phosphure d'indium-gallium (GaInP). La programmation LabVIEW et du materiel informatique de National Instruments sont utilises pour asservir entre autres l'injection des gaz et la temperature d'operation. Des ameliorations apportees au reacteur sont decrites, notamment les systemes d'injection et de pompage. Des croissances de GaAs(100) sur substrat de meme nature revelent un materiau de bonne qualite. La rugosite et le comportement en dopage p et n sont rapportes. De meme, les proprietes de GaInP sur GaAs, premier materiau ternaire cru au laboratoire, sont rapportees. Finalement, la mise en marche du reacteur d'epitaxie par jets chimiques permet maintenant a cinq etudiants gradues de faire progresser des projets relies directement a la croissance epitaxiale au Laboratoire d'Epitaxie Avancee de l'Universite de Sherbrooke."