En este libro, las técnicas de ingeniería de canal y de ingeniería de puerta se combinan para formar nuevas estructuras de dispositivos propuestas como MOSFETs de Puerta de Material Dual de Halo Único (SHDMG) y Puerta de Material Dual de Halo Doble (DHDMG). Los MOSFET avanzados están dopados de forma no uniforme como resultado de un complejo flujo de proceso. Por lo tanto, uno de los factores clave para modelar con precisión los parámetros característicos es modelar su perfil de dopaje no uniforme. El libro también presenta un potencial de superficie subumbral analítico, un voltaje umbral, una corriente de drenaje basada en la teoría de la deriva-difusión y un modelo de transconductancia para n-MOSFETs SHDMG y DHDMG basados en perfiles lineales y gaussianos que operan hasta el régimen de 40 nm. También se propone un modelo analítico de corriente de drenaje subumbral basado en el potencial de cuasi-Fermi para transistores MOS SHDMG y DHDMG lineales y de perfil gaussiano, que incorpora los campos de franja en los dos extremos del dispositivo.