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MOSFET Models for SPICE Simulation including BSIM3v3 & BSIM4: IEEE Press

Autor W Liu
en Limba Engleză Hardback – 22 ian 2001
Beim integrierten Schaltkreisdesign spielt die Schaltkreissimulation eine wesentliche Rolle, wobei deren Genauigkeit von der Genauigkeit des verwendeten Transistormodells abh ngig ist. BSIM3 (BSIM steht f r Berkley Short-channel IGFET Model) wurde als erstes MOSFET Modell zur Standardisierung ausgew hlt. Es wird erwartet, da in den kommenden Jahren viele Halbleiterunternehmen zu BSIM3 wechseln.
Dieses Buch erl utert die technischen Einzelheiten von BSIM 3, warum sich die meisten Unternehmen f r dieses Modell entscheiden und wo es eingesetzt werden kann. Eines der f nf Kapitel widmet sich BSIM4, dem Nachfolgemodell von BSIM3.
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Specificații

ISBN-13: 9780471396970
ISBN-10: 0471396974
Pagini: 600
Dimensiuni: 156 x 234 x 35 mm
Greutate: 0.99 kg
Ediția:00003
Editura: Wiley
Seria IEEE Press

Locul publicării:Hoboken, United States

Public țintă

Practicing Engineers in IC and microchip design, the largest market in semiconductor devices. Researchers and First Year Graduate Students in computer engineering and analog circuits. College Course Code 523

Descriere

An expert guide to understanding and making optimum use of BSIM Used by more chip designers worldwide than any other comparable model, the Berkeley Short-Channel IGFET Model (BSIM) has, over the past few years, established itself as the de facto standard MOSFET SPICE model for circuit simulation and CMOS technology development.