Organische Halbleiter sind aufgrund ihrer physikalischen und mechanischen Eigenschaften besonders für die Abscheidung auf flexiblen Kunststoffsubstraten interessant. Damit könnten z. B. flexible Aktiv Matrix (AM) Anzeigen hergestellt werden. Die Schwierigkeit die dafür benötigten organische Dünnschichtransistoren (OTFTs) zu realisieren, liegt in den dafür benötigten Niedertemperaturprozessen, die für Abscheidung der Kontakte, des Dielektrikums, des Halbleiters und der Verkapselung notwendig sind. Diese Arbeit beschäftigt sich mit der Untersuchung und Optimierung geeigneter Schichten und den dafür erforderlichen Grundlagen.Der Vergleich verschiedener Niedertemperatur Dielektrika zeigte, dass sich anodisiertes AI203mit Er =9 besonders gut für den Einsatz in OTFTs eignet. Bei der Verwendung von H202als Elektrolyt und einer Schichtdicke von gerade mal 30 nm beträgt die Durchbruchfeldstärke 6MV/cm. Damit können OTFTs mit für AM Anzeigen kompatiblen Arbeitsspannungen realisiert werden. Allerdings zeigten CV Messungen, dass in diesen Schichten Ladungen vorhanden sind. Diese sind im Gegensatz zu bei hohen Temperaturen abgeschiedenen Dielektrika in anodisierten AI203 Schichten unvermeidbar. Sie führen in einer späteren OTFT Anwendung zu einem Hystereseverhalten, das nur durch die Verwendung eines Halbleiters mit möglichst hoher Ladungsträgerbeweglichkeit verringert werden kann.