Questo lavoro presenta lo sviluppo di un prototipo di oscillatore a micro-onde a frequenza fissa, intorno ai 3 GHz, con linee a microstriscia, utilizzando transistor bipolari ad alta frequenza e basso rumore, attraverso i parametri di diffusione Soscillatore a micro-onde a frequenza fissa, intorno ai 3 GHz, con linee a microstriscia, utilizzando transistor bipolari ad alta frequenza e basso rumore, attraverso i parametri di dispersione S, al fine di supportare le attività pratiche sviluppate nel laboratorio RF del corso di ingegneria elettrica dell'IFSUL. Vengono utilizzati strumenti di calcolo per lo sviluppo di equazioni per la conversione dei parametri di scattering, per il calcolo dell'adattamento di impedenza, per la realizzazione delle linee a microstriscia e per la polarizzazione del transistor. Infine, sono stati costruiti due prototipi e presentati i risultati. I prototipi hanno funzionato correttamente, evidenziando quello progettato con l'ausilio di uno strumento di calcolo.