Los dieléctricos de alta permitividad y los sustratos adecuados son objeto de intensos estudios con vistas a su utilización en el diseño de VLSI. Sin embargo, el óxido de hafnio (HfO2) es un candidato prometedor para la próxima generación de dieléctricos de puerta debido a su constante dieléctrica relativamente alta 25 , amplio bandgap, buena estabilidad térmica y energía libre de reacción relativamente alta con el material del sustrato. Recientemente, los dispositivos electrónicos basados en Ge han vuelto a recibir una atención considerable y el Ge puede aportar soluciones a los principales problemas a los que se enfrenta la tecnología Si para los dispositivos CMOS avanzados; esto se debe principalmente a la mayor mo-bilidad tanto de los huecos como de los electrones en el sustrato de Ge. De ahí que este libro sea útil para que los lectores conozcan algunos aspectos significativos de la tecnología de Ge para dispositivos de alta frecuencia.