Nous etudions, par photoluminescence resolue en temps, des puits quantiques GaN/AlGaN, elabores en epitaxie par jet moleculaire (EJM). Ces systemes sont le siege de champs electriques internes de l'ordre du MV/cm, dus a la piezoelectricite et a la polarisation spontanee, qui influent fortement sur le temps de vie radiatif des excitons. Le desaccord entre les temps de vie calcules dans le formalisme de la fonction enveloppe et les temps de declin de photoluminescence experimentaux indique qu'il existe des phenomenes non radiatifs dont l'efficacite croit exponentiellement lorsqu'on reduit la largeur de barriere dans les echantillons a multipuits quantiques. Nous montrons egalement, par une approche experimentale et theorique, comment la faible extension spatiale de l'exciton tend a le localiser sur les rugosites d'interface a basse temperature. Cette localisation, comparable a celle qui intervient dans des systemes plus complexes comme les puits quantiques InGaN/GaN, est susceptible proteger l'exciton de la capture par les centres non radiatifs que sont les dislocations traversantes."