Ce travail porte sur l'optimisation des couches ultra minces pour micro & nanotechnologies par un outil de simulation Monte Carlo cinetique. Les limites et les faiblesses de la modelisation continue ont ete mis en evidence d'ou la necessite de la simulation a l'echelle atomique pour comprendre la formation des ces couches aux premiers instants de leurs croissances. Differents mecanismes ont ete introduits pour simuler les configurations choisies afin d'effectuer cette etude dans un systeme a un grand nombre d'atomes.La validation de notre simulation s'est effectuee sur la base des donnees experimentales obtenues a l'aide des techniques RHEED, XPS et STM.Le couplage de notre simulateur aux logiciels de visualisation graphique a montre que l'ajustement des parametres physico-chimiques telles que le coefficient de transfert de charges en O, la temperature d'oxydation et la pression du flux incident O2, conditionnent les resultats obtenus: composition chimique des oxydes a l'interface SiO2/Si, structure cristalline de l'oxyde natif sur le silicium, la rugosite, la distribution des defauts en surface et les contraintes a l'interface SiO2/Si."