Polycrystalline Semiconductors II: Proceedings of the Second International Conference Schwäbisch Hall, Fed. Rep. of Germany, July 30–August 3,1990: Springer Proceedings in Physics, cartea 54
Editat de Jürgen H. Werner, Horst P. Strunken Limba Engleză Paperback – 6 dec 2011
Din seria Springer Proceedings in Physics
- Preț: 404.33 lei
- Preț: 131.49 lei
- 18% Preț: 1776.06 lei
- 18% Preț: 1201.39 lei
- 15% Preț: 607.87 lei
- 18% Preț: 1333.68 lei
- 18% Preț: 1323.21 lei
- 18% Preț: 898.01 lei
- 18% Preț: 1047.47 lei
- Preț: 298.48 lei
- 18% Preț: 1592.97 lei
- 18% Preț: 1167.79 lei
- 18% Preț: 947.34 lei
- 18% Preț: 1063.15 lei
- 18% Preț: 1062.39 lei
- 18% Preț: 1060.91 lei
- 18% Preț: 953.30 lei
- 18% Preț: 960.78 lei
- 15% Preț: 608.16 lei
- 15% Preț: 606.60 lei
- 18% Preț: 1737.05 lei
- 18% Preț: 1155.67 lei
- 18% Preț: 1730.93 lei
- 18% Preț: 1158.07 lei
- 18% Preț: 1163.90 lei
- 18% Preț: 1152.96 lei
- 18% Preț: 1737.81 lei
- 18% Preț: 1169.87 lei
- 24% Preț: 881.65 lei
- 18% Preț: 901.73 lei
- 15% Preț: 605.98 lei
- 18% Preț: 1162.38 lei
- 18% Preț: 1485.36 lei
- 18% Preț: 1733.92 lei
- 18% Preț: 1154.32 lei
- 5% Preț: 2002.55 lei
Preț: 619.15 lei
Preț vechi: 728.42 lei
-15% Nou
Puncte Express: 929
Preț estimativ în valută:
118.57€ • 128.31$ • 98.84£
118.57€ • 128.31$ • 98.84£
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 09-23 decembrie
Preluare comenzi: 021 569.72.76
Specificații
ISBN-13: 9783642763878
ISBN-10: 3642763871
Pagini: 568
Ilustrații: XVI, 549 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 30 mm
Greutate: 0.79 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1991
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Springer Proceedings in Physics
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
ISBN-10: 3642763871
Pagini: 568
Ilustrații: XVI, 549 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 30 mm
Greutate: 0.79 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1991
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Springer Proceedings in Physics
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
Public țintă
ResearchCuprins
I Dislocations: Structure.- II Dislocations: Optical and Electronic Properties.- III Beam Induced Characterization.- IV Grain Boundaries: Theory.- V Grain Boundaries in Silicon: Structure, Chemistry and Transport.- VI Gettering and Hydrogen Passivation in Silicon.- VII Polycrystalline Material for Microelectronic Devices.- VIII Silicon Crystallization.- IX Non-silicon Polycrystalline Materials.- X New Solar Cell Materials.- XI Heterointerfaces: Structure.- XII Heterointerfaces: Devices.- Index of Contributors.- Materials Index.