Polycrystalline Semiconductors II: Proceedings of the Second International Conference Schwäbisch Hall, Fed. Rep. of Germany, July 30–August 3,1990: Springer Proceedings in Physics, cartea 54
Editat de Jürgen H. Werner, Horst P. Strunken Limba Engleză Paperback – 6 dec 2011
Din seria Springer Proceedings in Physics
- Preț: 418.56 lei
- Preț: 131.49 lei
- 18% Preț: 1837.36 lei
- 18% Preț: 1242.81 lei
- 15% Preț: 628.74 lei
- 18% Preț: 1379.69 lei
- 18% Preț: 1368.85 lei
- 18% Preț: 928.95 lei
- 18% Preț: 1083.57 lei
- Preț: 298.48 lei
- 18% Preț: 1647.95 lei
- 18% Preț: 1208.05 lei
- 18% Preț: 979.99 lei
- 18% Preț: 1099.79 lei
- 18% Preț: 1099.00 lei
- 18% Preț: 1097.47 lei
- 18% Preț: 986.14 lei
- 18% Preț: 1099.00 lei
- 18% Preț: 993.88 lei
- 18% Preț: 989.99 lei
- 23% Preț: 650.15 lei
- 15% Preț: 629.06 lei
- 15% Preț: 627.43 lei
- 18% Preț: 1797.01 lei
- 18% Preț: 1195.51 lei
- 18% Preț: 1790.68 lei
- 18% Preț: 1197.99 lei
- 18% Preț: 1204.04 lei
- 18% Preț: 1192.71 lei
- 18% Preț: 1797.81 lei
- 18% Preț: 1210.19 lei
- 24% Preț: 881.65 lei
- 18% Preț: 932.79 lei
- 15% Preț: 626.80 lei
- 18% Preț: 1202.46 lei
- 18% Preț: 1536.62 lei
- 18% Preț: 1793.78 lei
Preț: 640.44 lei
Preț vechi: 753.46 lei
-15% Nou
Puncte Express: 961
Preț estimativ în valută:
122.57€ • 127.32$ • 101.81£
122.57€ • 127.32$ • 101.81£
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 03-17 februarie 25
Preluare comenzi: 021 569.72.76
Specificații
ISBN-13: 9783642763878
ISBN-10: 3642763871
Pagini: 568
Ilustrații: XVI, 549 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 30 mm
Greutate: 0.79 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1991
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Springer Proceedings in Physics
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
ISBN-10: 3642763871
Pagini: 568
Ilustrații: XVI, 549 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 30 mm
Greutate: 0.79 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1991
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Springer Proceedings in Physics
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
Public țintă
ResearchCuprins
I Dislocations: Structure.- II Dislocations: Optical and Electronic Properties.- III Beam Induced Characterization.- IV Grain Boundaries: Theory.- V Grain Boundaries in Silicon: Structure, Chemistry and Transport.- VI Gettering and Hydrogen Passivation in Silicon.- VII Polycrystalline Material for Microelectronic Devices.- VIII Silicon Crystallization.- IX Non-silicon Polycrystalline Materials.- X New Solar Cell Materials.- XI Heterointerfaces: Structure.- XII Heterointerfaces: Devices.- Index of Contributors.- Materials Index.