Polycrystalline Semiconductors II: Proceedings of the Second International Conference Schwäbisch Hall, Fed. Rep. of Germany, July 30–August 3,1990: Springer Proceedings in Physics, cartea 54
Editat de Jürgen H. Werner, Horst P. Strunken Limba Engleză Paperback – 6 dec 2011
Din seria Springer Proceedings in Physics
- Preț: 426.72 lei
- 18% Preț: 1875.48 lei
- 18% Preț: 1268.55 lei
- 15% Preț: 641.71 lei
- 18% Preț: 1408.26 lei
- 18% Preț: 1397.19 lei
- 18% Preț: 948.16 lei
- 18% Preț: 1106.00 lei
- Preț: 298.48 lei
- 18% Preț: 1682.11 lei
- 18% Preț: 1233.06 lei
- 18% Preț: 1000.24 lei
- 18% Preț: 1122.56 lei
- 18% Preț: 1121.76 lei
- 18% Preț: 1120.18 lei
- 18% Preț: 1006.55 lei
- 18% Preț: 1121.76 lei
- 18% Preț: 1014.45 lei
- 18% Preț: 1010.48 lei
- 23% Preț: 650.15 lei
- 15% Preț: 642.03 lei
- 15% Preț: 640.37 lei
- 18% Preț: 1834.27 lei
- 18% Preț: 1220.26 lei
- 18% Preț: 1827.80 lei
- 18% Preț: 1222.80 lei
- 18% Preț: 1228.96 lei
- 18% Preț: 1217.41 lei
- 18% Preț: 1835.07 lei
- 18% Preț: 1235.25 lei
- 24% Preț: 881.65 lei
- 18% Preț: 952.09 lei
- 15% Preț: 639.73 lei
- 18% Preț: 1227.36 lei
- 18% Preț: 1568.47 lei
- 18% Preț: 1830.97 lei
- 18% Preț: 1218.83 lei
Preț: 653.65 lei
Preț vechi: 769.00 lei
-15% Nou
Puncte Express: 980
Preț estimativ în valută:
125.09€ • 129.80$ • 104.55£
125.09€ • 129.80$ • 104.55£
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 15-29 martie
Preluare comenzi: 021 569.72.76
Specificații
ISBN-13: 9783642763878
ISBN-10: 3642763871
Pagini: 568
Ilustrații: XVI, 549 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 30 mm
Greutate: 0.79 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1991
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Springer Proceedings in Physics
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
ISBN-10: 3642763871
Pagini: 568
Ilustrații: XVI, 549 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 30 mm
Greutate: 0.79 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1991
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Springer Proceedings in Physics
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
Public țintă
ResearchCuprins
I Dislocations: Structure.- II Dislocations: Optical and Electronic Properties.- III Beam Induced Characterization.- IV Grain Boundaries: Theory.- V Grain Boundaries in Silicon: Structure, Chemistry and Transport.- VI Gettering and Hydrogen Passivation in Silicon.- VII Polycrystalline Material for Microelectronic Devices.- VIII Silicon Crystallization.- IX Non-silicon Polycrystalline Materials.- X New Solar Cell Materials.- XI Heterointerfaces: Structure.- XII Heterointerfaces: Devices.- Index of Contributors.- Materials Index.