Bol'shinstwo issledowanij po änergopotrebleniü shem bylo sosredotocheno na moschnosti pereklücheniq, a moschnost', rasseiwaemaq tokom utechki, byla otnositel'no neznachitel'noj oblast'ü. Odnako w sowremennyh tehnologiqh SBIS podporogowyj tok stanowitsq odnim iz osnownyh faktorow änergopotrebleniq, osobenno w pamqti wysokogo klassa. Dlq snizheniq moschnosti utechki w SRAM mozhno primenit' metod ogranicheniq moschnosti, a osnownoj tehnikoj ogranicheniq moschnosti qwlqetsq ispol'zowanie spqschih tranzistorow dlq uprawleniq podporogowym tokom. V dannom proekte ispol'zuetsq dwojnoe porogowoe naprqzhenie; obychnye qchejki SRAM imeüt bolee nizkoe porogowoe naprqzhenie, a bolee wysokoe porogowoe naprqzhenie uprawlqet spqschimi tranzistorami. Razmer spqschih tranzistorow mozhet byt' wybran po toku naihudshego sluchaq i primenqetsq k kazhdomu bloku.