Der Nachweis von MWIR (mittelwellige Infrarotstrahlung) ist f r industrielle, biomedizinische und milit rische Anwendungen von gro er Bedeutung. Hochleistungs-IR-FPAs der dritten Generation sind bereits ein attraktives Angebot f r den Entwickler von IR-Systemen. Sie decken z.B. Mehrfarbigkeit (mindestens zwei und vielleicht mehr verschiedene Spektralb nder) mit der M glichkeit der gleichzeitigen Detektion in Raum und Zeit sowie immer gr ere Gr en ab. Eine Typ-II-Bandausrichtung, so dass das Leitungsband der InAs-Schicht niedriger ist als das Valenzband der GaSb-Schicht. Die effektive Bandl cke dieser Strukturen kann von 0,4 eV bis zu Werten unter 0,1 eV eingestellt werden, indem die Dicke der konstituierenden Schichten variiert wird, was zu einem enormen Bereich von Detektor-Cutoff-Wellenl ngen f hrt (3- 20μm). Dieses Buch konzentriert sich auf die verschiedenen Schl sseleigenschaften des optischen (Empfindlichkeit und Detektivit t) und elektrischen (Oberfl chenleck- und Dunkelstrom) Infrarot-Detektors. Der Nachweis des Konzepts wird anhand von Infrarot-P-I-N-Fotodioden auf der Basis von InAs/GaSb- bergittern mit einer Grenzwellenl nge von 8,5 m und einer Bandl ckenenergie von 150 meV bei einer Betriebstemperatur von 78 K erbracht, bei der die Unterdr ckung von Oberfl chenleckstr men beobachtet wird.