Nesmotrya na bol'shoe chislo rabot, posvyashchennykh vozdeystviyu impul'snogo radioizlucheniya na integral'nykh mikroskhem (IMS), sushchestvuyushchie rezul'taty byli polucheny v otnositel'no uzkikh diapazonakh parametrov izlucheniya i poetomu nosyat otryvochnyy kharakter. Eto ne pozvolyalo ustanavlivat' kakie-libo dostovernye zavisimosti i osushchestvlyat' otsenki parametrov radioimpul'sov, pri kotorykh obespechivaetsya rabotosposobnost' kak otdel'nykh IMS, tak i radioelektronnoy apparatury v tselom. Nastoyashchaya rabota posvyashchena issledovaniyu stoykosti IMS v elektromagnitnykh polyakh impul'snogo radioizlucheniya. Sushchestvennoe vliyanie na katastroficheskie otkazy IMS okazyvayut "skrytye defekty" materialov i konstruktivno-tekhnologicheskie osobennosti mikroskhem. Pri poliimpul'snom vozdeystvii poyavlyayutsya kachestvenno novye osobennosti, svyazannye kak s tem, chto mnogie aktivnye elementy IMS (diody, tranzistory), raspolozhennye na kristalle, stanovyatsya poliimpul'snymi istochnikami teplovydeleniya, tak i so statisticheskim kharakterom povrezhdeniya poluprovodnikovykh priborov.