L'integration de materiaux ferromagnetiques dans des heterostructures semi-conductrices offre de nouvelles perspectives en spintronique, domaine emergent qui exploite le spin et la charge de l'electron. Dans ce manuscrit sont presentes les resultats de la croissance par epitaxie par jets moleculaires d'heterostructures de Mn5Ge3 sur Ge. L'avantage du compose ferromagnetique Mn5Ge3 est de pouvoir s'integrer directement au Ge, semi-conducteur a fort potentiel pour le developpement d'une nouvelle generation de transistors plus performants. Un fort accent a ete mis sur les caracterisations structurales et la determination des relations d'epitaxie du Mn5Ge3 avec le Ge(111) afin de les relier aux proprietes magnetiques. La seconde partie a ete consacree a l'etude des processus cinetiques d'incorporation de carbone dans les couches minces de Mn5Ge3 afin de controler ses proprietes magnetiques et sa stabilite thermique. Tous les resultats indiquent que la structure hybride Mn5Ge3/Ge est un candidat prometteur pour realiser l'injection, la manipulation et la detection de spin dans les semi-conducteurs et ainsi developper des composants ayant des fonctionnalites nouvelles."