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Studio dei metodi di instradamento in uno scenario VLSI a bassa potenza

Autor Nimushakavi Sn Murti Sarma, M. L. N. Acharyulu, T. R. Swamy
it Limba Italiană Paperback – 4 iul 2022
La crescente domanda di nuove applicazioni e di dispositivi compatti ha portato allo sviluppo di nuove tecnologie a livello di integrazione. L'integrazione su larghissima scala (VLSI) ha offerto il vantaggio di integrare applicazioni a grande densità in una piattaforma compatta, raggiungendo l'obiettivo di ottenere applicazioni di fascia alta su un'unica piattaforma. Con l'aumento dello sviluppo della densità di integrazione, questa tecnologia si è evoluta verso la progettazione su scala nanometrica, che rappresenta un salto significativo nel dominio VLSI. Con il raggiungimento di una grande densità di integrazione, aumentano anche i vincoli di potenza, velocità e throughput. Con l'aumento della densità dei transistor, aumenta anche il consumo di energia. Questo è un collo di bottiglia per la progettazione VLSI di applicazioni critiche. Di conseguenza, la necessità di ridurre il consumo di energia è uno degli obiettivi principali nell'ambiente di progettazione VLSI. L'ottimizzazione della potenza è sviluppata attraverso molteplici mezzi, in cui i ricercatori hanno ottenuto risultati con vari approcci a livello di composizione o di integrazione per ridurre la dissipazione di potenza. L'utilizzo della potenza di elaborazione è considerato un consumo utile, ma vengono studiate anche le perdite di potenza dovute alle perdite IR e alle interferenze elettromagnetiche (EMI).
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Specificații

ISBN-13: 9786204924052
ISBN-10: 6204924052
Pagini: 188
Dimensiuni: 150 x 220 x 12 mm
Greutate: 0.3 kg
Editura: Edizioni Sapienza

Notă biografică

Nimushakavi SN Murti Sarma und Thonta Rama Swamy sind Professoren am Sreenidhi Institute of Science and Technology (A), Yamnampet, Hyderabad, Maddala Lakshmi Narasimha Acharyulu war Stipendiat der JNTUH und arbeitet derzeit am Chaitanya Bharati Institute of Technology, Gandipet, Hyderabad.