Doktorarbeit / Dissertation aus dem Jahr 2015 im Fachbereich Elektrotechnik, Note: 1,0, Technische Universit t Dresden (Institut f r Aufbau- und Verbindungstechnik der Elektronik), Sprache: Deutsch, Abstract: F r den Aufbau von 3D-integrierten Mikrosystemen gilt es bestehende Prozessabl ufe zu adaptieren und neue Teilprozesse zu integrieren. Dementsprechend muss zun chst Wissen ber die Prozessf hrung und das Materialverhalten gesammelt werden. Die vorliegende Arbeit konzentriert sich dabei auf das Annealingverhalten von Through-Silicon-Via-Strukturen (TSVs). Im Fokus der Untersuchungen stehen vor allem thermo-mechanische Spannungen, welche sich bei diesem Fertigungsschritt ausbilden. Vom Materialverhalten des Kupfers ausgehend, wird ein hypothetisches Ablaufmodell zur Spannungsentwicklung w hrend des Annealing entwickelt. Experimentalreihen werden von der TSV-Prozessf hrung abgeleitet, um die getroffenen Annahmen zu berpr fen. In diesem Zusammenhang dienen die Charakterisierung von Testchipkr mmung sowie der Kupferprotrusion vor und nach dem Annealing zur berpr fung der getroffenen Annahmen und weisen ein zeit- und temperaturabh ngiges Verhalten auf. EBSD-Messungen zeigen, dass diese Beobachtungen ma geblich auf die Umstrukturierung der Kupfermikrostruktur zur ckzuf hren sind. Ausgehend vom Ablaufmodell und von der experimentellen Charakterisierung k nnen wichtige Randbedingungen f r Berechnungen erkannt und festgelegt werden. So wird abschlie end ein FE-Modell zur Simulation der thermo-mechanischen Spannungen nach dem Annealing vorgestellt. Die Simulationsergebnisse werden durch -Raman-Spektroskopie-Messungen validiert. Zusammengefasst liefert diese Arbeit nicht nur wichtige materialtechnische Erkenntnisse ber den Ablauf des TSV-Annealing, sondern stellt zus tzlich eine Berechnungsmethodik vor, welche als Werkzeug f r die Prozessoptimierung genutzt werden kann.