La course a la miniaturisation des transistors MOS implique de nouvelles technologies d'amelioration des performances. L'ingenierie de contrainte mecanique est aujourd'hui devenue une etape incontournable. Les objectifs de ce travail sont de modeliser les dispositifs des prochains n uds technologiques et de quantifier l'impact de la contrainte mecanique. La mobilite est le facteur exploite pour quantifier les performances et l'un des parametres cles des simulateurs commerciaux. Ici, le concept de mobilite effective et de mobilite de magnetoresistance dans les MOS courts est analyse et le role preponderant des effets non stationnaires est identifie et quantifie par des modeles avances. Grace au simulateur Monte Carlo MONACO, l'influence de la contrainte sur la structure de bandes et ses repercussions sur le transport sont etudiees. En bande de valence, la mobilite reste representative des performances. L'impact de la contrainte sur la mobilite des trous est etudiee par le biais d'experiences de flexion mecanique. Grace des calculs de mobilite Kubo-Greenwood, les tendances sont expliquees par les forts couplages existants entre les effets de contrainte et de confinement des trous."