Diese Arbeit behandelt die Optimierung des Wachstums von III-Nitrid-Nanodrähten. Der Schwerpunkt liegt dabei auf dem Einfluss der Mg- und Si-Dotierung auf das Wachstum von InN-Nanodrähten sowie die Etablierung, Anwendung und Analyse des selektiven Wachstums von GaN-Nanodrähten auf Si-Substraten. Das Ziel der Arbeit ist dabei die Herstellung von Nanodrähten mit homogenen Durchmessern und Längen, die für die Realisierung von kontrollierbaren Bauteilen unerlässlich ist. Zusätzlich sind die auftretenden Prozesse während des Wachstums noch nicht tiefgehend verstanden und können insbesondere durch das selektive Wachstum genauer untersucht werden. Sowohl die Dotierung der InN-Nanodrähte, als auch das selektive Wachstum von GaN-Nanodrähten mit Durchmessern unter 100 nm sind dabei zum Zeitpunkt dieser Arbeit weltweit einzigartig.