Potrebnost' w solnechnoj änergii bystro rastet w swqzi s bystrym uwelicheniem chislennosti naseleniq planety, rostom änergopotrebleniq i obraza zhizni. Solnechnye älementy na osnowe kremniq qwlqütsq luchshej al'ternatiwoj dlq udowletworeniq änergeticheskih potrebnostej naseleniq planety. Solnechnye älementy s geteroperehodom c-Si/a-Si:H imeüt znachitel'nye preimuschestwa pered solnechnymi älementami na osnowe c-Si i a-Si:H. Jeffektiwnost' preobrazowaniq solnechnyh älementow na osnowe geteroperehoda c-Si/a-Si:H srawnima s solnechnymi älementami na osnowe c-Si. Solnechnye älementy s geteroperehodom c-Si/a-Si:H mogut byt' legko izgotowleny pri temperature nizhe 200oC, togda kak obrazowanie spaew w obychnyh solnechnyh älementah na osnowe c-Si obychno proishodit putem termicheskoj diffuzii, dlq chego trebuetsq temperatura 800-1000 oC. Takaq nizkaq temperatura pozwolqet ispol'zowat' bolee tonkie plastiny, teplowoj büdzhet pri formirowanii geteroperehoda takzhe znachitel'no snizhaetsq po srawneniü s formirowaniem gomoperehoda. Geteroperehodnye kremniewye solnechnye älementy demonstriruüt men'shee padenie proizwoditel'nosti s uwelicheniem temperatury po srawneniü s obychnymi c-Si solnechnymi älementami.